HTYHM-H絕緣子鹽灰一體機(jī)測(cè)試儀

HTYHM-H絕緣子鹽灰一體機(jī)測(cè)試儀用于檢測(cè)電力線路中絕緣子的污穢附著情況，該儀器可一次測(cè)量絕緣子鹽密度和灰密度，簡化了絕緣子污穢檢測(cè)的流程，非常適合巡檢現(xiàn)場(chǎng)和實(shí)驗(yàn)室使用。電力線路中絕緣子的污穢程度主要通過鹽密度（ESDD）和灰密度的（NSDD）來表征，該儀器同時(shí)具備測(cè)量鹽密度和灰密度的功能。內(nèi)置了常用溶液體積、絕緣子型號(hào)，方便用戶直接調(diào)用，絕緣子型號(hào)與表面積支持用戶自定義，增加數(shù)據(jù)保存功能，可保存十萬組測(cè)試數(shù)據(jù)，本機(jī)查看數(shù)據(jù)，支持U盤導(dǎo)出數(shù)據(jù)，并配有上位機(jī)數(shù)據(jù)處理軟件，方便用戶在計(jì)算機(jī)上查看、編輯、導(dǎo)出Excel表格。

2、功能說明

2.1 儀器構(gòu)成

檢測(cè)儀各部分組成如圖2.1，各部分功能如下：

顯示屏：該顯示屏為觸摸顯示屏，除顯示測(cè)量結(jié)果等數(shù)據(jù)外還可通過觸摸屏輸入?yún)?shù)、操作檢測(cè)、歷史記錄查看等功能。

打印機(jī)：以小票形式打印檢測(cè)結(jié)果，需要自行更換打印紙。

檢測(cè)口：待檢測(cè)的溶液可通過檢測(cè)口倒入內(nèi)部檢測(cè)容器以便進(jìn)行測(cè)量。

排水口：測(cè)量完成后用來排出被測(cè)溶液，排水前要插入儀器配套的排水管。

充電口：使用配套充電器通過充電口給儀器充電。

排水鍵：控制儀器排水功能，當(dāng)檢測(cè)結(jié)束后可按下此按鍵將加入檢測(cè)口的溶液通過排水口排出。

電源鍵：控制儀器總電源，按下儀器開機(jī)。

USB口：可插入儀器配套U盤進(jìn)行數(shù)據(jù)導(dǎo)出或程序升級(jí)。

2.2 主要參數(shù)表及相關(guān)術(shù)語

相關(guān)術(shù)語：

1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator

XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。

2、爬電距離 creepage distance

在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。

注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。

3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）

絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為最高相電壓）之比，mm/kV。

4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）

人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm2。

5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）

絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。

6、不溶物密度（簡稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）

絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。

7、現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity（SES）

根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。

8、現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity（SPS）

在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。

9、現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class

將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。

10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1

同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。